IRFR220NTRPBF IRFR220 TO-252-3 N沟道 200V 5A 场效应管 型号:IRFR220NTRPBF 包装:2000/盘 类别:分立半导体 产品族:晶体管FET MOSFET 单 系列:HEXFET FET类型:N沟道 类别:MOSFET 金属氧化物 漏源电压:200V 连续漏较电流:5A 驱动电压:10V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On:600 毫欧 @ 2.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅较电荷 :23nC @ 10V Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容:300pF @ 25V 功率耗散:43W 工作温度:-55°C ~ 175°C 封装:DPAK TO-252-3